【市场行情】

沪深两市成交额2.91万亿，较上一个交易日缩量1.04万亿。截至收盘，沪指跌0.33%，深成指涨0.41%，创业板指涨0.56%。半导体设备板块午后放量上涨。

【上涨因素分析】

1、消息面上，主因台积电capex超预期。中国台湾台积电作为全球最大的芯片代工厂，其业绩对很多下游有重要参考意义。本文分析不作个股推荐，仅为行业分析。今日台积电发布2025Q4业绩，

●合并营收：约 10460.9 亿元新台币，同比增长 20.5%，环比增长 5.7%；

●净利润：约 5057.4 亿元新台币，同比增长 35%，环比增长 11.8%；

分下游看，25Q4中HPC、Smartphone景气度良好，分别环比+4%、+11%，分别同比增加48%、11%。其中，HPC主因算力芯片驱动，而Smartphone增长良好则是因为iPhone17销量良好。

资料来源：tsmc

更重要的是capex预期。台积电预期2026年capex将达520-560亿美元，2024年仅为409亿美元，这意味着27%-37%的增幅。同时，台积电预计未来三年资本开支有望显著增加。

2、深层次逻辑，是国内半导体设备行业与全球算力共振。从全球算力产业链看，台积电依然是AI景气度的锚点。目前英伟达、博通等海外大厂的计算芯片依然是靠台积电完成制造和封测，cowos产能虽然持续扩产，但是目前依然处在紧缺状态。因此，在手机等传统下游增长有限的前提之下，台积电扩产节奏超出预期本身就意味着北美AI未来需求的增长。

更进一步，AI浪潮持续高潮，对全球相关配件的景气度有望进一步拉动。其中，包括运力层面的PCB、光模块等，以及存力方面的HBM、Nand等产品都有进一步上调预期。总而言之，台积电的业绩表明北美算力的景气度高企。

此前我们讲到，在存储方面，本轮存储涨价源于AI的虹吸。主要原因是北美GPU出货过于迅猛，美光、海力士、三星等大厂优先将产能用于AI所需的HBM等高毛利产品，导致旧代系存储产品产能退出过快，存储涨价开始在整个行业蔓延。同时，英伟达近期在CES2026年推出的存储池化技术，进一步带来Nand需求，行业供需缺口持续扩大。因此，在海外算力日益高涨的同时，全球存储行业都有望进入了扩产周期。国内存储行业也吃到了这次存储涨价的红利。且后面两存上市预期加强，国内半导体设备赛道景气度迅速上行。总结一下，存储涨价是因为海外算力导致的存储需求增长过快，而存储越涨，扩产预期就越强，国内半导体设备行业就越受益。所以半导体设备现在也开始和海外算力映射了。

【后市展望】

AI的科技浪潮短期内很难暂停，存力紧缺有望贯穿26年。芯片受益于摩尔定律的进展，计算的速度和量都呈现快速增长。但是，这些年来其他赛道的发展并没有芯片这么快，比如内存就很典型。过去20年处理器性能年均提升55%，而内存仅10%。所以，为了满足芯片计算的需求，需要为之匹配足够的存储。GPU上全用HBM成本又太高，所以英伟达引入Nand和DDR5应该也有成本方面的考量。展望后市，全球计算芯片有望进一步成长，由此带来的存储需求增速甚至比芯片本身更快。

半导体设备具备催化明确优点，建议持续关注国泰中证半导体材料设备主题ETF发起联接C(019633)。目前，存储涨价持续超出预期、两存上市等事件直接拉动半导体设备预期，同时，目前国产半导体设备开始与海外算力共振，美光、闪迪、拉姆研究、应用材料等大厂的动态都有望成为催化。截至2026年1月15日，国泰中证半导体材料设备主题ETF发起联接C(019633)场内目标ETF标的指数PETTM为104.92x，位于上市以来84.78%分位。虽然近期涨幅较大，但是历史分位仍然低于半导体设计等环节，仍具有很强的布局性价比，建议持续关注。

资料来源：wind（截至1月15日）

风险提示：

国泰中证半导体材料设备主题联接C成立于2023.9.26。国泰中证半导体材料设备主题联接C自成立以来-2025上半年净值增长/业绩比较基准(%)：-2.66/-3.13，9.12/9.64，5.00/5.25。数据来源：基金定期报告。业绩比较基准：中证半导体材料设备主题指数收益率*95%+银行活期存款利率(税后)*5%。本基金为ETF联接基金，目标ETF为股票型指数基金，其预期收益及预期风险水平理论上高于混合型基金、债券型基金和货币市场基金。本基金主要通过投资于目标ETF跟踪标的指数表现，具有与标的指数以及标的指数所代表的证券市场相似的风险收益特征。基金经理朱碧莹自2024年11月8日起管理本基金。            

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投资人应当充分了解基金定期定额投资和零存整取等储蓄方式的区别。定期定额投资是引导投资人进行长期投资、平均投资成本的一种简单易行的投资方式。但是定期定额投资并不能规避基金投资所固有的风险，不能保证投资人获得收益，也不是替代储蓄的等效理财方式。