【上涨因素分析】

美光今日凌晨发布财报，大超市场预期。FY26Q3实现营收 414.6亿美元，YoY +346%；Non-GAAP EPS为25.11美元。毛利率高达84.9%，再创历史新高。此外，公司指引FY26Q4指引营收 500±10亿美元，Non-GAAP EPS为31±1美元，毛利率约 86%。公司已签署16份长期协议，HBM持续供不应求。

【存储涨价，国产存储产业链深度受益】

根据TrendForce集邦咨询，今年第二季度DRAM合约价预计环比上涨58%至63%，NAND闪存合约价环比上涨70%至75%。此外，根据相关指引，存储芯片价格在Q3有望保持30%左右环比涨幅，这一点从美光毛利率指引提升看也可见一斑。

在全球存储涨价的大背景下，国内存储芯片和存储模组厂商有望同步受益，业绩端加速放量已在报表端有明显表现，#有兴趣的投资者可关注国泰信创ETF联接C，截至2026年6月24日，存储模组+存储芯片+内存接口芯片含量高达37.23%，存储含量高于普通的半导体类指数（如科创芯片设计等）。

【存储扩产，半导体设备迎成长黄金期】

半导体设备近期成长叙事良多，包括半导体设备涨价、设备出海、存储扩产、两存上市、去日化等多重引擎共振。美光FY26Q3资本开支约70亿美元，并指引FY26Q4预计提升至约100亿美元，可见存储扩产正在加速。而材料端也因存储高度景气、成熟制程稼动率高企等因素而快速成长。半导体设备和材料均深度受益于存储涨价和存储扩产，#有兴趣的投资者可关注国泰中证半导体材料设备主题ETF发起联接C（019633）和国泰半导体制造精选混合发起C（025687）

具体持仓可能随市场波动。提及个股仅用于行业事件分析，不构成任何个股推荐或投资建议。指数等短期涨跌仅供参考，不代表其未来表现，亦不构成对基金业绩的承诺或保证。

国泰国证信创ETF联接基金、国泰中证半导体材料设备主题ETF发起联接基金，目标ETF为股票型指数基金，其预期收益及预期风险水平理论上高于混合型基金、债券型基金和货币市场基金。上述基金主要通过投资于目标ETF跟踪标的指数表现，具有与标的指数以及标的指数所代表的证券市场相似的风险收益特征。

国泰半导体制造精选混合发起基金合同生效日为2025年10月14日。本基金为混合型基金，理论上其预期风险、预期收益高于货币市场基金和债券型基金，低于股票型基金。本基金可投资港股通标的股票，会面临港股通机制下因投资环境、投资标的、市场制度以及交易规则等差异带来的特有风险。基金经理彭凌志自2025年10月14日开始管理本基金。

风险提示：本材料由国泰基金管理有限公司提供。本材料观点将随各因素变化而动态调整，不构成投资者改变投资决策或选择具体产品的法律依据。基金有风险，投资需谨慎。基金的过往业绩并不预示其未来表现，基金管理人管理的其他基金的业绩并不构成对本基金业绩表现的保证。基金管理人依照恪尽职守、诚实信用、谨慎勤勉的原则管理和运用基金财产，不保证基金一定盈利，也不保证最低收益。投资者在投资前应仔细阅读《基金合同》、《招募说明书》、《产品资料概要》、风险揭示书等法律文件，了解基金的风险收益特征，并根据自身的投资目的、投资期限、投资经验、资产状况等判断基金是否和您的风险承受能力相适应。基金管理人提醒投资人基金投资的“买者自负”原则，材料观点仅供参考，不构成任何投资建议和承诺。